Intel объявляет план развития до 2025 года и в последующий период

Узел Intel 7 Process Node (ранее 10 нм Enhanced SuperFin)

Итак, сначала у нас есть Intel 7 – новое название 10-нм технологического узла Enhanced SuperFin. Этот узел должен был питать линейку Intel Alder Lake Client и Sapphire Rapids Server. Исходя из заявлений Intel, этот узел будет обеспечивать прирост производительности 10-15% на ватт по сравнению с 10-нанометровым SuperFin, а также оптимизацию транзисторов FinFET. Intel 7 готова к серийному производству, и ожидается, что первые продукты появятся на рынке к 4 кварталу 2021 года.

Intel 7 обеспечивает увеличение производительности на ватт примерно на 10–15% по сравнению с Intel 10 нм SuperFin на основе оптимизации транзисторов FinFET. Intel 7 будет представлена в таких продуктах, как Alder Lake для клиентов в 2021 году и Sapphire Rapids для центров обработки данных, производство которых ожидается в первом квартале 2022 года.

Технологический узел Intel 4 (ранее 7-нм)

Intel 4 - это также то, что компания ранее называла своим 7-нм техпроцессом. Это очень разрекламированный узел, поскольку он поддерживает несколько продуктов следующего поколения, включая Ponte Vecchio, а также у нас есть Meteor Lake для клиентов и Granite Rapids для центров обработки данных. Intel заявляет о 20% -ном приросте производительности на ватт для Intel 4 по сравнению с Intel 7. В дополнение к этому Intel 4 предоставит хороший список улучшений, которые будут включать:

• 2-кратное масштабирование плотности по сравнению с Intel 7
• Планируемые внутриузловые оптимизации
• 4-кратное сокращение правил проектирования
• EUV
• Новое поколение Foveros и EMIB Packaging

Узел также будет в полной мере использовать EUV Lithography и уже имеет продукты с лентой, такие как Meteor Lake Compute Tile, который был записан в течение предыдущего квартала. Granite Rapids также получит дизайн плитки с несколькими вычислениями, а его основное ядро Granite Rapids будет изготавливаться на узле Intel 4.

Intel 4 полностью поддерживает литографию EUV для печати невероятно мелких деталей с использованием ультракоротковолнового света. При увеличении производительности на ватт примерно на 20%, а также улучшении площади, Intel 4 будет готов к производству во второй половине 2022 года для продуктов, поставляемых в 2023 году, включая Meteor Lake для клиентов и Granite Rapids для центра обработки данных.

Узел процесса Intel 3 (оптимизация Intel 4?)

Выходя за рамки Intel 4, компания планирует запустить свой технологический узел Intel 3, который будет готов для производства ко второй половине 2023 года. Судя по всему, что перечислила Intel, похоже, что Intel 3 является оптимизацией поколений Intel 4, поскольку обеспечивает прирост производительности 18% на ватт.

Похоже, что все, кроме Meteor Lake (Lunar Lake) и Granite Ridge (Diamond Rapids), может использовать технологический узел Intel 3, хотя мы говорим о продуктах, которые будут выпущены не раньше 2024 или даже 2025 года, так что впереди еще долгий путь.

Intel 3 использует дальнейшую оптимизацию FinFET и увеличенный EUV, чтобы обеспечить увеличение производительности на ватт примерно на 18% по сравнению с Intel 4, а также дополнительные улучшения. Intel 3 будет готова начать производство продуктов во второй половине 2023 года.

Технологический узел Intel 20A и не только (настоящий узел нового поколения)

Intel пошла вперед, чтобы рассказать о своей пост-нанометровой эре с новым продуктом, который она называет Intel 20A. Intel 20A открывает эру Ангстрема (A – Angstrom), которая равна 10⁻¹⁰ м или 1A = 0,1 нм. Это просто крутой способ сказать 2 нм, но, учитывая, насколько и без того маленькие узлы стали еще меньше, Intel решила, что нужна новая единица измерения.

Таким образом, Intel 20A (2 нм) будет предлагать революционные инновации, когда он выйдет на раннюю стадию производства к 1 полугодию 2024 года. Ожидается, что узел 20A будет оснащен новыми транзисторами RibbonFET, которые заменят существующую архитектуру FinFET.

Intel 20A открывает эру ангстрема с двумя революционными технологиями: RibbonFET и PowerVia. RibbonFET, реализация Intel транзистора с круговым затвором, станет первой новой транзисторной архитектурой компании с момента её внедрения FinFET в 2011 году. Эта технология обеспечивает более высокую скорость переключения транзисторов. PowerVia - это первая в отрасли уникальная реализация Intel для подачи питания на задней стороне, оптимизирующая передачу сигнала за счет устранения необходимости в маршрутизации питания на передней стороне пластины. Ожидается, что Intel 20A выйдет на рынок в 2024 году.

Что касается продуктов, основанных на технологическом узле Intel 20A, не ожидайте, что они появятся в реальности до 2025 года.

Intel не останавливается на 20A, они продолжают обсуждать узлы следующего поколения до 2025 года и далее, которые будут включать 18A. Узел 18A уже находится в разработке на начало 2025 года и будет включать усовершенствования в архитектуре RibbonFET, чтобы обеспечить еще один значительный скачок в производительности.

Эти новые инновации и схемы именования позволяют избежать беспорядка, в который Intel попала несколько лет назад. Теперь компания может двигаться вперед, не беспокоясь о схемах именования, и предложить унифицированную линейку технологических узлов в соответствии со своими новыми критериями названий.