Китайский производитель создаст память DDR5 с частотой более 10000 МГц

Китайский производитель памяти и флэш-памяти Netac заявил, что будет предлагать память DDR5 игрового уровня с частотами выше 10 000 МГц. Об этом сообщает издание ITHome.

Netac получила свою первую партию DDR5 DRAM от Micron. С этой начальной партией Netac может официально перейти на стадию разработки продуктов памяти на основе DDR5 DRAM.

Память DDR5, которую получила компания, имеет код продукта IFA45 Z9ZSB, который является микросхемой ES (на основе информации с веб-сайта Micron). Каждая DRAM имеет емкость 2Gx8 и рассчитана на работу с таймингами CL40. Чипы DDR5 DRAM основаны на узле 1znm (от 12 до 14 нм) и имеют размеры 11x9 мм или 99 мм2.

Netac в настоящее время предлагает несколько продуктов памяти DDR4

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания. Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе внутренних банков (в 2 группах банков), что позволило увеличить скорость передачи внешней шины. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Википедия

Читайте также:Тест памяти DDR5-4800 МГц – на 53% быстрее, чем DDR4G.Skill презентовала планки памяти Trident Z DDR4 в пяти цветовых вариантах

, но они заявляют, что готовят память DDR5 игрового уровня со скоростью выше 10 000 МГц. Будет интересно увидеть, как Netac достигнет этого, поскольку собственные скорости DDR5 будут 4800 МГц, а переход на 10 000 МГц означает удвоение скорости. Это теоретически возможно, поскольку память DDR4 начиналась с 2133 МГц, и мы видели, как несколько производителей предлагали комплекты, рассчитанные на частоту до DDR4-5333 МГц, которые могут быть расширены за пределы DDR4-6000 МГц с некоторым разгоном.

T-Force ранее заявляла, что память DDR5 имеет гораздо больше возможностей для регулировки напряжения, когда речь идет о поддержке разгона. В первую очередь это связано с модернизированным управлением питанием (PMIC), что позволяет работать с напряжениями более 2,6 В. Также подробно описано, что существующие модули памяти DDR4 обрабатывали преобразование напряжения через материнскую плату, но это изменилось с новым стандартом DRAM. Компоненты, необходимые для преобразования напряжения, теперь перемещены в сам модуль памяти DIMM, что снижает износ напряжения и генерацию шума, одновременно предлагая больше пространства для разгона.

С началом массового производства мы можем ожидать, что память DDR5 будет готова для потребительских платформ, таких как процессоры Intel Alder Lake 12-го поколения и соответствующая платформа материнских плат Z690, во второй половине 2021 года.

Подписаться на обновления Новости / Технологии

0 комментариев

Оставить комментарий