Посты с тегом: HBM4E

Н
Новости / Технологии
SK hynix представила 48-гигабайтную память HBM4E с пропускной способностью 4 ТБ/с
На выставке COMPUTEX 2026 компания SK hynix представила образец памяти HBM4E объемом 48 ГБ, выполненный по технологии 12-слойной вертикальной компоновки.Новинка основана на 32-гигабитных чипах DRAM, произведенных по 1-нанометровому техпроцессу. Скоро…
0
Н
Новости / Технологии
Samsung начала поставки первых в мире образцов 12-слойной HBM4E с приростом производительности более 20%
Компания Samsung Electronics объявила о начале поставок первым глобальным клиентам первых в отрасли образцов 12-слойной памяти HBM4E объемом 48 ГБ. После завершения начальной поставки и оптимизации Samsung планирует начать массовое производство HBM4E…
0
Н
Новости / Технологии
SK Hynix наращивает производство 1c DRAM с выходом годных 80%
Компания SK Hynix ускоряет развитие своей 10-нанометровой DRAM-памяти шестого поколения (1c), увеличив инвестиции в оборудование для экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) примерно в три раза по сравнению с первоначальным планом. Как сообща…
0
Н
Новости / Технологии
Samsung представит HBM4E на 2-нм техпроцессе, оставив конкурентов позади
Рост популярности памяти HBM в эпоху искусственного интеллекта стал одной из причин дефицита памяти DDR, что объясняется высоким спросом и требованиями к производственным мощностям в сфере ИИ. Ранее компания SK Hynix обогнала Samsung на рынке памяти …
0
Н
Новости / Технологии
Южнокорейские гиганты ускоряют разработку HBM4E, чтобы занять 40% рынка к 2027 году
Южнокорейские технологические гиганты Samsung и SK Hynix активизируют разработку памяти следующего поколения HBM4E, чтобы укрепить свои позиции в конкурентной борьбе за рынок высокопроизводительных решений для систем искусственного интеллекта. С п…
0
Н
Новости / Технологии
Samsung представила HBM4E — память нового поколения с космической скоростью до 3,25 ТБ/с
Samsung представила очередное поколение своей ультрабыстрой памяти для центров обработки данных и ускорителей ИИ. На саммите Open Compute Project Global Summit корейский гигант объявил подробности о HBM4 и HBM4E, которые обеспечат огромный скачок пр…
1
Н
Новости / Технологии
Память Samsung HBM4e с пропускной способностью 3,25 ТБ/с выйдет в 2027 году
Высокопроизводительные вычисления для искусственного интеллекта требуют не только мощных GPU, но и высокой пропускной способности памяти, где HBM-память уже стала необходимостью. После перехода на HBM4 в следующем году следующим поколением станет HBM…
0
Н
Новости / Технологии
Samsung представила планы по HBM4e и сообщила о рекордной прибыли
Компания Samsung раскрыла подробности о своем новом поколении памяти HBM4e на саммите OCP Global Summit. Целью является достижение скорости передачи данных свыше 13 Гбит/с на контакт и общей пропускной способности 3,25 ТБ/с, что примерно в 2,5 раза б…
0
Н
Новости / Технологии
Micron и TSMC объединились для производства памяти HBM4E к 2027 году
Компания Micron подтвердила партнерство с TSMC для производства базовых логических кристаллов для памяти следующего поколения HBM4E. Целевой срок начала производства — 2027 год. Это заявление было сделано во время отчета о прибылях и убытках Micron з…
0