Посты с тегом: антиферромагнетики

Новости / Наука
Учёные зафиксировали магнитное переключение за 140 триллионных секунды
Команда учёных под руководством Рё Симано из Токийского университета впервые напрямую наблюдала, как электронные спины переворачиваются внутри антиферромагнетика — материала, в котором противоположные спины компенсируют друг друга. Исследование, опуб…
1
Новости / Наука
Прорыв в исследовании низкоразмерных антиферромагнетиков открывает путь к новому поколению чипов
Исследовательская группа Шанхайского университета Фудань совершила прорыв в изучении класса магнитных материалов, который может помочь в создании более быстрых и энергоэффективных компьютерных чипов и устройств памяти.Исследование, проведённое Госуда…
1
Новости / Наука
Учёные научились «видеть» магнитные состояния в антиферромагнетиках с помощью света
Исследователи из Университета Делавэра разработали оптический метод для детектирования магнитного состояния антиферромагнетиков — материалов, перспективных для создания сверхбыстрой и компактной электроники будущего.В отличие от обычных ферромагнетик…
1
Новости / Наука
Ученые впервые визуализировали два механизма переключения намагниченности в антиферромагнетиках
Исследовательская группа под руководством Рё Симано из Токийского университета впервые визуализировала два различных механизма переключения спинов в антиферромагнетике — материале, в котором магнитные моменты атомов скомпенсированы. Один из этих меха…
1
Новости / Наука
Новый тип туннельных переходов открывает путь к компактной и быстрой спинтронике
Антиферромагнитный туннельный переход с магнитосопротивлением, управляемым интерфейсом. Автор: Шао ДинфуИсследовательская группа под руководством профессора Шао Динфу из Института физики твёрдого тела Хэфэйского института физических наук Китайской а…
1
Новости / Наука
Антиферромагнетики превзошли ферромагнетики в сверхбыстрой энергоэффективной памяти
Пример компоновки и измерительной системы. Автор: Science (2025). DOI: 10.1126/science.ado1611Достижения в спинтронике привели к практическому использованию магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) — энергонезависимой технологии памяти, поддержи…
1
Новости / Наука
Учёные обнаружили эффект Раби-подобного расщепления в синтетических антиферромагнетиках
Схематическое изображение синтетического антиферромагнетика, двух режимов колебаний (оптического и акустического) и нелинейной связи магнонов между режимами (трёхмагнонное смешивание), приводящей к Раби-подобному расщеплению. Синие стрелки представл…
1
Новости / Наука
Физики сделали важный шаг к управлению спинами в антиферромагнетиках
Автор: Unsplash/CC0 Public Domain На протяжении десятилетий ферромагнитные материалы лежали в основе таких технологий, как магнитные жесткие диски, оперативная память с произвольным доступом и осцилляторы. Однако антиферромагнетики, если бы их удало…
0