Компания Micron (美光) сообщила об ускорении темпов производства памяти HBM4 (High Bandwidth Memory) шестого поколения. По заявлению производителя, скорость наращивания производственных мощностей для HBM4 вдвое превышает аналогичный показатель для HBM3 с 12 слоями, а оптимизация выхода годных изделий происходит значительно быстрее.

Вице-президент Micron по глобальным операциям Маниш Бхатия (Manish Bhatia) подтвердил на инвестиционной конференции JPMorgan, что данная память будет применяться в вычислительной платформе Nvidia Vera Rubin для задач искусственного интеллекта.

Ключевые чипы DRAM для HBM4 производятся по 5-му поколению 10-нм техпроцесса (1β). Компания также самостоятельно оптимизирует базовый кристалл для повышения общей производительности.

Micron планирует начать массовое производство памяти следующего стандарта HBM4E в следующем году. HBM4E будет выпускаться по 6-му поколению 10-нм техпроцесса (1γ), что станет первым случаем использования литографического оборудования ASML с EUV-технологией в серийном производстве Micron.

Кроме того, компания изменит производственную стратегию: изготовление базового кристалла для HBM4E будет передано на аутсорсинг компании TSMC. Первые партии HBM4E будут соответствовать стандартам JEDEC, а в дальнейшем Micron предложит клиентам кастомизированные версии.

Ожидается, что к середине текущего года на долю DRAM по техпроцессу 1γ и флеш-памяти NAND 9-го поколения будет приходиться более половины общего объема поставок Micron. При этом DRAM 1γ может стать крупнейшим единичным DRAM-техпроцессом в истории компании.

Что касается конкурентов, Samsung Electronics планирует поставить образцы HBM4E во втором квартале этого года. Их базовый кристалл будет изготовлен на заводе Samsung по 4-нм техпроцессу. SK Hynix намерена предоставить образцы HBM4E во втором полугодии 2026 года, а запустить массовое производство — в следующем году. Базовый кристалл для HBM4E от SK Hynix будет производиться TSMC по 3-нм техпроцессу.