Когда США ввели санкции против китайских производителей полупроводников, Китай начал продвигать суверенные инструменты для производства микросхем. Согласно исследованию, проведенному Emerging Technology Observatory (ETO), китайские институты значительно опередили своих американских коллег в исследованиях по производству микросхем следующего поколения. В период с 2018 по 2023 год по всему миру было опубликовано около 475 000 научных статей по проектированию и изготовлению микросхем. Китайские исследовательские группы внесли 34% от общего объема — по сравнению с всего лишь 15% из США и 18% из Европы. Исследование дополнительно подчеркивает качество вклада Китая. Сосредоточившись на 10% самых цитируемых статей, китайские исследователи ответили на 50% этой высокоэффективной работы, в то время как американские и европейские исследования составили всего 22% и 17% соответственно.

Эта тенденция показывает, что количественное лидерство Китая заключается не только в цифрах, и предполагает, что его работа находит сильный отклик в мировом академическом сообществе. Ключевые области исследований включают нейроморфные, оптоэлектрические вычисления и, конечно же, литографические инструменты. Китай работает в основном за пределами экспортных ограничений США, которые с 2022 года сократили доступ к передовому оборудованию для производства чипов — а именно, к инструментам, необходимым для изготовления чипов ниже технологического узла 14 нм. Хотя санкции США были направлены на ограничение доступа Китая к передовым производственным технологиям, огромный объем китайских исследований предполагает, что эти меры в конечном итоге могут оказаться менее эффективными, поскольку китайские институты продолжают продвигать влиятельные, высокоцитируемые исследования. Однако китайская теоретическая работа еще не подтверждена в полевых условиях, поскольку в настоящее время только одна компания производит узлы 7 нм и 5 нм — SMIC. Китайским производителям полупроводников по-прежнему нужны более продвинутые литографические решения для достижения массового производства на более продвинутых узлах, таких как 3 нм и 2 нм, чтобы создавать более мощные отечественные чипы для ИИ и HPC.

Источник: ETO