Как правило, чем больше зарядов может хранить ячейка флэш-памяти NAND, тем менее долговечна она с точки зрения циклов программирования/стирания (P/E). Но инновации в материалах 3D
NAND, усовершенствования контроллеров NAND и алгоритмы исправления ошибок могут значительно увеличить количество
Читать дальше →
