Учёные разработали новую теорию, объясняющую, почему туннельное магнитосопротивление (TMR) — явление, используемое в магнитной памяти и других технологиях — колеблется при изменении толщины изолирующего барьера в магнитном туннельном переходе (MTJ). Эти колебания были чётко зафиксированы,
Читать дальше →
