Китайская компания создала крупнейший в мире 14-дюймовый кристалл карбида кремния

/ Новости / Технологии
Карбид кремния (SiC) является ключевым материалом для полупроводников третьего поколения. Ранее американская компания Wolfspeed долгое время доминировала на рынке как в технологическом, так и в коммерческом плане. Теперь китайская компания Tiancheng Semiconductor (天成半导体) объявила об успешной
Читать дальше →
  • 0

Создан квантовый датчик на основе карбида кремния, работающий при комнатной температуре

/ Новости / Наука
Международная группа исследователей разработала новый квантовый сенсор на основе спиновых кубитов карбида кремния, который стабильно работает при комнатной температуре. Статья об этом была опубликована в журнале Nature Materials.Ключевым достижением стала разработка специальной поверхности
Читать дальше →