Исследователи из Гонконгского университета (HKU) представили значительное достижение в области криогенной электроники, которое может помочь преодолеть ключевые проблемы в квантовых вычислениях и поддержать будущие миссии в дальний космос. Команда из Департамента электротехники и вычислительной
Читать дальше →
Карбид кремния (SiC) является ключевым материалом для полупроводников третьего поколения. Ранее американская компания Wolfspeed долгое время доминировала на рынке как в технологическом, так и в коммерческом плане. Теперь китайская компания Tiancheng Semiconductor (天成半导体) объявила об успешной
Читать дальше →
Международная группа исследователей разработала новый квантовый сенсор на основе спиновых кубитов карбида кремния, который стабильно работает при комнатной температуре. Статья об этом была опубликована в журнале Nature Materials.Ключевым достижением стала разработка специальной поверхности
Читать дальше →
