Исследовательская группа под руководством профессора Шао Динфу из Института физики твёрдого тела Хэфэйского института физических наук Китайской академии наук обнаружила новый механизм достижения сильной спиновой поляризации с использованием интерфейсов антиферромагнитных металлов.Их результаты,
Читать дальше →
Достижения в спинтронике привели к практическому использованию магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) — энергонезависимой технологии памяти, поддерживающей энергоэффективные полупроводниковые интегральные схемы.В последнее время антиферромагнетики — магнитные материалы без результирующей
Читать дальше →
Синтетические антиферромагнетики — это искусственно созданные магнитные материалы, состоящие из чередующихся ферромагнитных слоёв с противоположно направленными магнитными моментами, разделённых немагнитной прослойкой. Эти материалы демонстрируют интересные паттерны намагниченности,
Читать дальше →
На протяжении десятилетий ферромагнитные материалы лежали в основе таких технологий, как магнитные жесткие диски, оперативная память с произвольным доступом и осцилляторы. Однако антиферромагнетики, если бы их удалось «приручить», открывают еще большие перспективы: сверхбыструю передачу информации
Читать дальше →
