SK Hynix завершила модернизацию завода DRAM в Уси, перейдя на 1a нм

/ Новости / Технологии
SK Hynix завершила модернизацию завода DRAM в Уси, перейдя на 1a нм Южнокорейский гигант по производству памяти SK Hynix успешно завершил модернизацию технологического процесса на своем заводе в Уси (Китай), полностью переведя его с техпроцесса 1z нм на более совершенный 1a нм для производства DRAM.В настоящее время производственная мощность завода составляет около
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Бывший инженер Samsung обвиняется в передаче данных о 10-нм DRAM китайской CXMT

/ Новости / Технологии
Бывший инженер Samsung обвиняется в передаче данных о 10-нм DRAM китайской CXMT Южнокорейские следователи предъявили обвинения нескольким лицам в деле об утечке передовых производственных технологий DRAM. Бывший инженер Samsung якобы передал данные о процессе производства 10-нанометровой памяти китайской компании ChangXin Memory Technologies (CXMT), что могло ускорить
Читать дальше →