Red Magic 11 станет первым смартфоном на Snapdragon 8 Elite 2 с активным охлаждением и защитой IP68

Согласно данным, опубликованным инсайдером Digital Chat Station, грядущий игровой смартфон Red Magic 11 сохранит фирменную конструкцию с активным вентилятором охлаждения от предыдущего поколения. При этом новинка получит защиту от пыли и воды по стандарту IP68, что сделает её уникальным устройством на рынке — первым смартфоном с активным охлаждением, обладающим такой защитой.

Также сообщается, что Red Magic 11 станет первым смартфоном, использующим ещё не анонсированный флагманский чипсет Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2. Генеральный менеджер по продуктам Red Magic Цзян Чао ретвитнул эту информацию в Weibo, что может косвенно подтверждать её достоверность.

Таким образом, Red Magic 11 позиционируется как первый в отрасли флагман на Snapdragon 8 Elite 2 с активной системой охлаждения, что обещает выдающуюся производительность.

Ожидается, что Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2 будет производиться по 3-нм техпроцессу N3P от TSMC. Чипсет получит процессорную архитектуру на собственных ядрах Oryon от Qualcomm (конфигурация 2+6) и графический ускоритель Adreno 840 с увеличенным до 16 МБ кэшем. Предполагается, что результат этого чипа в тесте AnTuTu превысит 4 миллиона баллов, что станет новым рекордом производительности для мобильных устройств.

В дизайне Red Magic 11, вероятно, продолжит концепцию полноэкранного дисплея, представленную в серии Red Magic 10 Pro, что сделает его единственным флагманом на Snapdragon 8 Elite 2 с таким решением. Ожидается, что презентация новинки состоится в октябре 2025 года.

Интересный факт: Активное охлаждение с помощью вентилятора — одна из ключевых особенностей игровых смартфонов Red Magic. Оно позволяет поддерживать высокую производительность в demanding-играх без троттлинга, что особенно важно для геймеров. Защита IP68, обычно ассоциирующаяся с флагманами общего назначения, редко встречается в игровых устройствах из-за сложностей с герметизацией дополнительных элементов вроде вентиляционных отверстий.