Слухи: Samsung Galaxy S26 Ultra получит сверхбыструю память LPDDR5X

В социальных сетях появились слухи о том, что будущий флагман Samsung Galaxy S26 Ultra получит обновлённую конфигурацию памяти. Инсайдер PhoneArt сообщает, что смартфон будет оснащён новейшей оперативной памятью LPDDR5X от компании Micron с пропускной способностью до 10,7 Гбит/с. Это выше, чем у предыдущей модели Galaxy S25 Ultra (9,6 Гбит/с).

Это первый случай, когда память LPDDR5X с пропускной способностью более 10 Гбит/с будет использоваться в потребительских мобильных устройствах. Таким образом, данная технология официально переходит из лабораторий производителей в реальные коммерческие продукты.

Скоростное улучшение стало возможным благодаря новой архитектуре 1γ (1-gamma) DRAM от Micron. По сравнению с предыдущим поколением 1β (1-beta), новая архитектура предлагает лучшую энергоэффективность и производительность при многозадачности.

Эти улучшения должны обеспечить более быструю реакцию в ресурсоёмких приложениях, крупных играх и других сценариях, требующих высокой пропускной способности памяти, а также снизить энергопотребление и увеличить время автономной работы.

Помимо обновлённой памяти, Galaxy S26 Ultra, как ожидается, получит процессор Qualcomm Snapdragon 8 Elite 2. Аналитики считают, что сочетание высокоскоростной памяти и нового процессора улучшит производительность устройства в задачах искусственного интеллекта и других сложных сценариях.

Согласно предыдущим утечкам, Galaxy S26 Ultra также получит обновлённую камеру с механической переменной диафрагмой, улучшенные телеобъектив и сверхширокоугольный модуль с увеличенным разрешением, новый лазерный датчик автофокуса и тестируемую функцию записи видео высокого качества.

На данный момент Samsung не объявила официальную дату презентации Galaxy S26 Ultra.