Intel за год совершила переворот: подтверждён прогресс техпроцессов 18A и 14A

За прошедший год компания Intel совершила кардинальный разворот. Когда Чен Ливу только вступил в должность генерального директора, положение компании было шатким, однако теперь её акции выросли более чем в пять раз, а все направления бизнеса встали на путь стабильности. Особенно радуют успехи в области передовых техпроцессов.

Официальный Twitter-аккаунт Intel и технический директор компании подвели итоги изменений за год, перечислив ключевые достижения:

• Массовое производство по техпроцессу 18A на нескольких продуктах
• Разработка техпроцесса 14A идёт по графику
• Стабильное развитие контрактного производства микросхем
• Выпуск новых SoC для всех основных вычислительных платформ
• Восстановление и укрепление партнёрских отношений
• Создание новых бизнес-возможностей
• Установление новых партнёрских связей в разных отраслях

Среди перечисленных достижений последние пункты касаются деловых отношений, а первые — продуктов и технологий. Наибольшего внимания заслуживает выход техпроцесса 18A на этап крупносерийного производства (HVM). Те, кто знаком с полупроводниковым производством, понимают важность этого этапа.

Судя по недавним действиям Intel, техпроцесс 18A действительно стабилен. Ранее ходили слухи, что Intel призывает производителей ПК переориентировать свои продукты на процессоры Panther Lake, выпускаемые по техпроцессу 18A. Причём компания использует его не только для ПК-чипов: серверные 288-ядерные процессоры Xeon 6+ также производятся по 18A.

В начале следующего года выйдет следующее поколение Xeon на улучшенном техпроцессе 18A-P, количество ядер которого вырастет на 50% до 192, а также будет поддерживаться 16-канальная память DDR5-12800.

В середине мая генеральный директор Intel Чен Ливу также заявил, что техпроцесс 14A достиг стадии 0.5 PDK, а в октябре будет готов 0.9 PDK, что позволит клиентам производить образцы чипов. Ожидается, что рискованное производство начнётся в 2028 году, а массовое — в 2029-м.

В планах Intel также техпроцессы 10A и 7A, которые эквивалентны 1 нм и 0.7 нм соответственно. Сейчас они находятся на стадии планирования. Техпроцесс 10A, вероятно, будет использовать транзисторную структуру Forksheet, а 7A — CFET, что теоретически позволит удвоить плотность размещения элементов.