Micron ускоряет производство HBM4: темпы вдвое выше, чем у HBM3

Компания Micron (美光) сообщила об ускорении темпов производства памяти HBM4 (High Bandwidth Memory) шестого поколения. По заявлению производителя, скорость наращивания производственных мощностей для HBM4 вдвое превышает аналогичный показатель для HBM3 с 12 слоями, а оптимизация выхода годных изделий происходит значительно быстрее.

Вице-президент Micron по глобальным операциям Маниш Бхатия (Manish Bhatia) подтвердил на инвестиционной конференции JPMorgan, что данная память будет применяться в вычислительной платформе Nvidia Vera Rubin для задач искусственного интеллекта.

Ключевые чипы DRAM для HBM4 производятся по 5-му поколению 10-нм техпроцесса (1β). Компания также самостоятельно оптимизирует базовый кристалл для повышения общей производительности.

Micron планирует начать массовое производство памяти следующего стандарта HBM4E в следующем году. HBM4E будет выпускаться по 6-му поколению 10-нм техпроцесса (1γ), что станет первым случаем использования литографического оборудования ASML с EUV-технологией в серийном производстве Micron.

Кроме того, компания изменит производственную стратегию: изготовление базового кристалла для HBM4E будет передано на аутсорсинг компании TSMC. Первые партии HBM4E будут соответствовать стандартам JEDEC, а в дальнейшем Micron предложит клиентам кастомизированные версии.

Ожидается, что к середине текущего года на долю DRAM по техпроцессу 1γ и флеш-памяти NAND 9-го поколения будет приходиться более половины общего объема поставок Micron. При этом DRAM 1γ может стать крупнейшим единичным DRAM-техпроцессом в истории компании.

Что касается конкурентов, Samsung Electronics планирует поставить образцы HBM4E во втором квартале этого года. Их базовый кристалл будет изготовлен на заводе Samsung по 4-нм техпроцессу. SK Hynix намерена предоставить образцы HBM4E во втором полугодии 2026 года, а запустить массовое производство — в следующем году. Базовый кристалл для HBM4E от SK Hynix будет производиться TSMC по 3-нм техпроцессу.