Samsung начнет массовое производство модулей памяти CXL 3.1 в четвертом квартале 2026 года

Согласно сообщениям, Samsung Electronics начнет массовое производство модулей памяти CMM-D на базе стандарта CXL 3.1 в четвертом квартале 2026 года. Максимальная емкость одного модуля составит 1 ТБ, а пропускная способность — 72 ГБ/с. Интерфейс основан на PCIe 6.0.

CXL — это высокоскоростная технология взаимосвязи на базе стандарта PCIe, обеспечивающая более быструю передачу данных между CPU, памятью и GPU. Ее ключевое преимущество — объединение памяти в пул, что позволяет нескольким процессорам динамически распределять ресурсы памяти по мере необходимости, снижая совокупную стоимость владения в центрах обработки данных.

По сравнению с продуктами предыдущего поколения CXL 2.0, которые имели максимальную емкость 256 ГБ и пропускную способность 36 ГБ/с, CMM-D 3.1 обеспечивает двукратный прирост производительности и еще более низкую задержку. Новые модули объединяют несколько чипов DRAM и выделенный контроллер CXL на одной печатной плате.

Ранее, в мае 2023 года, Samsung завершила разработку образцов CMM-D 2.0 и поставляла их таким облачным провайдерам, как Microsoft, Google, Amazon и Meta, а также производителям серверов, включая Dell и Supermicro. В общей сложности клиентами стали более 40 компаний.

Изначально Samsung планировала выпустить продукт на базе CXL 3.1 в четвертом квартале 2025 года, однако из-за высокого спроса на традиционную DRAM и HBM компания скорректировала приоритеты коммерциализации CXL.

Отправка образцов CMM-D 3.1 начнется в третьем квартале 2026 года. По данным отраслевых источников, Samsung планирует начать производство образцов и их рассылку клиентам после июня. При успешной сертификации массовое производство может начаться уже в четвертом квартале.

По данным Yole Group, ожидается, что мировой рынок CXL вырастет с 2,1 миллиарда долларов США (около 168 миллиардов рублей) в 2026 году до 16 миллиардов долларов США (около 1,28 триллиона рублей) к 2028 году.

* Meta, Facebook и Instagram запрещены в России.