В Китае запустили первую в стране производственную линию по созданию двумерных полупроводников

В Шанхае начала работу первая в Китае инженерно-демонстрационная линия по производству двумерных полупроводников.

Линия была создана компанией «Юаньцзивэй» (原集微), которая была создана на основе разработок Университета Фудань. Ожидается, что в июне линия выйдет на этап полноценного запуска, а в третьем квартале достигнет уровня технологического процесса, эквивалентного 90 нм для кремниевой основы.

Интегральные схемы являются одной из трёх ключевых отраслей-локомотивов в Шанхае. Двумерные полупроводники, как передовое направление технологий следующего поколения, рассматриваются как ключевой прорыв для преодоления узких мест в развитии чипов. Благодаря своей атомарной толщине и высокой подвижности носителей заряда, они могут преодолеть ограничения закона Мура для кремниевой технологии и имеют широкие перспективы применения в высокочастотной связи, гибкой электронике и квантовых вычислениях.

В то время как современные чипы в основном изготавливаются на основе кремния, дальнейшая миниатюризация транзисторов сталкивается с экспоненциальным ростом сложности. Двумерные полупроводниковые материалы, толщина которых составляет всего несколько атомов, преодолевают физические пределы кремния и эффективно решают такие проблемы, как «утечка электронов» в кремниевых чипах. В настоящее время США, ЕС и другие страны уже увеличили инвестиции в исследования и промышленное освоение двумерных полупроводниковых материалов.

Ректор Университета Фудань Цзинь Ли отметил, что вуз является важной силой в исследованиях двумерных материалов в Китае. Основатель «Юаньцзивэй» Бао Вэньчжун раскрыл амбициозные планы:

«Мы планируем в течение следующих 2-3 лет, опираясь на возможности этой демонстрационной линии, достичь уровня производительности, эквивалентного 5 нм и даже 3 нм для кремниевой основы, и стремимся в течение 4 лет продемонстрировать решение с производительностью, эквивалентной 1 нм».

ИИ: Запуск такой линии — важный шаг для Китая в гонке за посткремниевыми технологиями. Если заявленные планы по достижению эквивалента 1 нм за 4 года реализуются, это может серьёзно изменить баланс сил в мировой полупроводниковой индустрии, особенно на фоне текущих ограничений в поставках оборудования.