Infineon представила эталонный проект ИП мощностью 12 кВт для ЦОД и серверов

Компания Infineon Technologies AG представила эталонный проект (reference design) источника питания (ИП) мощностью 12 кВт, разработанный специально для центров обработки данных с искусственным интеллектом и серверных приложений. Конструкция предлагает высокий КПД и высокую плотность мощности, используя все соответствующие полупроводниковые материалы: кремний (Si), карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Решение ориентировано на инженеров-исследователей, разработчиков аппаратного обеспечения и создателей систем силовой электроники.

«В условиях растущего спроса на энергию со стороны искусственного интеллекта вклад Infineon заключается в предоставлении силовых решений с наивысшей эффективностью преобразования, чтобы сохранить каждый возможный ватт», — заявил Ричард Кунчич, старший вице-президент и генеральный менеджер по силовым ключам Infineon. — «Наш новый эталонный проект ИП мощностью 12 кВт с высокой плотностью использует передовые топологии преобразования мощности, а следовательно, технологии CoolMOS, CoolSiC и CoolGaN, что позволяет источнику питания раскрыть весь потенциал в области энергоэффективности, надежности и плотности мощности. Мы гордимся тем, что находимся на передовой линии обеспечения энергией ИИ».

Для достижения высоких уровней производительности в проекте используются передовые топологии преобразования мощности как на этапе AC/DC, так и на этапе DC/DC. Фронтенд-преобразователь AC/DC имеет трехуровневую чересстрочную топологию коррекции коэффициента мощности (PFC) с летающим конденсатором, обеспечивая пиковый КПД выше 99,0% при одновременном уменьшении объема магнитных компонентов. Это достигается благодаря технологии CoolSiC от Infineon, которая предлагает высокие коммутационные характеристики и отличные тепловые свойства. Изолированный преобразователь DC/DC выполнен по топологии резонансного преобразователя LLC с полным мостом и предлагает пиковый КПД выше 98,5%, что стало возможным благодаря использованию двух планарных высокочастотных трансформаторов и технологии CoolGaN от Infineon. Эти архитектуры в сочетании с новейшими широкозонными технологиями Infineon позволяют достичь плотности мощности до 113 Вт/дюйм³.

Еще одной ключевой особенностью эталонного проекта ИП на 12 кВт является двунаправленный буфер энергии, интегрированный в общую топологию источника питания. Этот преобразователь обеспечивает соответствие требованиям к времени удержания (hold-up time), одновременно значительно сокращая требования к емкости. Кроме того, буфер энергии выполняет функцию формирования сетки, повышая надежность системы и ограничивая как колебания, так и скорость изменения мощности, потребляемой из сети во время переходных процессов.

Источник: Infineon