Snapdragon 8 Elite Gen 5 обещает удвоение производительности, но не улучшит энергоэффективность

Qualcomm готовится представить обновлённую версию своего флагманского чипа. Согласно последним утечкам, Snapdragon 8 Elite Gen 5, дебют которого запланирован на 23 сентября, удвоит производительность по сравнению с Snapdragon 8 Elite, однако… его энергопотребление останется на прежнем уровне.

По данным источников в Weibo (Digital Chat Station), причиной отсутствия улучшений в энергоэффективности стало использование усовершенствованного литографического процесса TSMC N3P (третье поколение 3 нм). Это так называемое «оптическое уменьшение», которое обеспечивает около 5% прироста производительности при том же энергопотреблении либо экономию заряда батареи на 5–10% при сохранении идентичных тактовых частот. Однако Qualcomm решила повысить тактовую частоту как производительных, так и энергоэффективных ядер — отсюда и отсутствие реального улучшения в потреблении энергии.

Интересно, что даже тестовая версия Snapdragon 8 Elite Gen 5 со сниженной тактовой частотой (4,0 ГГц вместо 4,74 ГГц на Galaxy S26 Edge) показала лучшие результаты в одно- и многопоточных тестах, чем текущий Snapdragon 8 Elite. Это демонстрирует, что чип обладает огромным запасом мощности, который Qualcomm намерена использовать по максимуму.

К счастью, производители смартфонов всё чаще обращаются к новым аккумуляторным решениям, таким как кремний-углеродные элементы, которые позволяют использовать батареи большей ёмкости при сохранении разумных размеров устройств. Благодаря этому даже при полной реализации потенциала Snapdragon 8 Elite Gen 5 время автономной работы от одного заряда не должно значительно сократиться.