Утечка: Huawei разрабатывает 120-ядерный серверный процессор Kunpeng 930

Первый серверный процессор Huawei Kunpeng 920 был представлен в 2019 году. Он использовал архитектуру Arm, производился по 7-нм техпроцессу и поддерживал до 64 ядер с частотой до 2,6 ГГц, 8-канальную память DDR4, интерфейс PCIe 4.0 и 100G RoCE сеть. С тех пор компания не анонсировала новых серверных процессоров.

Однако пользователь социальной платформы X @Kurnalsalts недавно сообщил, что Huawei разработала 120-ядерный процессор Kunpeng 930. Соответствующий аналитический видеообзор был опубликован на Bilibili и YouTube.

@Kurnalsalts провел подробный анализ полученного чипа Kunpeng 930, продемонстрировав его корпус, конфигурацию памяти и подсистему ввода-вывода. Согласно утекшим данным, новый процессор демонстрирует существенный прогресс по сравнению с предыдущим поколением.

Размер корпуса Kunpeng 930 составляет примерно 77,5 × 58,0 мм — довольно крупный, что объясняется использованием Chiplet-архитектуры. Процессор состоит из четырех отдельных кристаллов.

Вся сборка включает четыре вычислительных чиплета общей площадью около 252,3 мм² и один крупный I/O-кристалл площадью примерно 312,3 мм². По сравнению с Kunpeng 920, площадь I/O-кристалла у преемника увеличилась примерно на 81,26%, главным образом для обеспечения поддержки 96-канального подключения памяти.

Размер каждого CPU-кристалла составляет 23,47 × 10,75 мм. Он содержит десять кластеров, в каждом из которых — по четыре CPU-ядра, то есть всего 40 ядер на кристалл.

Таким образом, общее количество CPU-ядер Kunpeng 930 достигает 120. Каждый CPU-кристалл имеет 2 МБ кэш-памяти второго уровня и разделяет 91 МБ кэша третьего уровня. Исследование кристалла позволяет сделать вывод, что он основан на собственном ядре Huawei «Taishan» с архитектурой Arm.

I/O-кристалл поддерживает 96 линий PCIe, 16-канальную память DDR5, а также двухпроцессорную конфигурацию на материнской плате.

По сравнению с Kunpeng 920, новинка предлагает почти вдвое больше CPU-ядер, значительно увеличенные объемы кэш-памяти L2/L3 и, вероятно, более высокую плотность SRAM благодаря использованию 5-нм техпроцесса.