Чипы типа «алмаз на кремнии» в 30 раз мощнее современных процессоров

Многие скептики говорят о скором достижении кремниевой электроникой теоретического предела производительности и декларируют потребность перехода на оптронные технологии. Но есть и ещё один путь: компания Akhan Semiconductor продемонстрировала принципиально новые микросхемы, которые используют техпроцесс типа «алмаз на кремнии». Речь пока идёт о сотнях нанометров и использовании 12-дюймовых пластин, однако возможные частотные и электрические характеристики производят огромное впечатление.

Образцы выглядят неказисто, однако у данной технологии большое будущее

Одна лишь предельная частота 100 ГГц заставляет задуматься о том, а так ли уж правы скептики. Да и с охлаждением проблем будет значительно меньше, так как алмаз является одним из лучших проводников тепла в природе. Пока что начато опытное производство на собственной мини-фабрике, однако компания рассчитывает развернуть массовое производство таких чипов позже. Еще одна цель Akhan Semiconductor — застолбить себе участок в сфере квантовых компьютеров и микромеханических устройств; в последнем случае у неё уже имеются клиенты. В частности, речь идёт о ёмкостных переключаемых массивов для динамической подстройки антенных характеристик в дорогих мобильных телефонах.

Фирменная технология носит название Miraj Diamond Platform

Алмазные компоненты компания получает из метана с использованием плазменных технологий, для этого используется специальный реактор, носящий название MPCVD. Финальным продуктом является алмазная подложка, которую возможно применить для производства различных полупроводниковых схем. Вместе с тем расходуется на 20 % меньше чистой воды, нежели в традиционных технологических процессах. Кроме огромного частотного потенциала, впечатляет и электрический: будучи великолепным изолятором, алмаз позволяет создавать микроскопические устройства, способные работать с напряжением 10 киловольт. Аналогичный кремниевый чип потребовал бы в 50 раз больше материала. Похоже, алмаз является идеальной заменой кремнию и собственно он станет следующей ступенью для дальнейшего прогресса в области полупроводниковой электроники.